被誉为浸润式光刻机之父的台积电前研发副总裁林本坚接受媒体采访的时候再次表示，中国大陆或许在没有EUV光刻机的情况下研发出5纳米工艺，利用现有的浸润式DUV光刻机就能生产出5纳米，浸润式DUV光刻机有这样的潜力。
林本坚在台积电做研发工作的时候就研发出了浸润式光刻机技术，不过当时占据领先地位的日本光刻机企业、尼康等在干式光刻机技术上处于巅峰，并不愿意投入巨资研发浸润式光刻机，而一直在光刻机行业苦苦挣扎的ASML却认为是一个机会而找上了台积电。
在双方合作之下，ASML迅速研发出浸润式光刻机并交付给台积电，由此ASML迅速崛起，至2008年左右，ASML已超越日本的光刻机企业成为业界老大，由于这种合作关系，此后ASML一直都与台积电保持着深度的合作关系。
后来ASML又获得美国的EUV光刻机技术支持，而研发出EUV光刻机，由此ASML彻底成为光刻机行业的龙头，可以说正是台积电将浸润式光刻机技术交给了ASML才为ASML奠定了光刻机龙头老大的地位。
作为浸润式光刻机技术提出者的林本坚也就被赋予了浸润式光刻机之父的头衔，如此情况下林本坚当然知道浸润式光刻机的潜力，事实上当年台积电也是先用浸润式DUV光刻机生产7纳米工艺，用多重曝光的方式生产出7纳米，只是这样做确实会导致成本过高。
之后台积电生产第二代7纳米工艺的时候就用上了EUV光刻机，性能得到显著提升、功耗也明显下降，此后台积电一直用着EUV光刻机开发5纳米、3纳米乃至2纳米工艺。
值得注意的是三星已开始使用二代EUV光刻机生产2纳米工艺，而台积电则继续用着第一代EUV光刻机生产2纳米，这凸显出台积电在技术方面的优秀，而台积电继续用一代EUV光刻机生产2纳米，在于二代EUV光刻机的成本实在太高了，二代EUV光刻机比一代贵了两倍。
林本坚的说法将鼓励中国大陆的芯片行业进一步挖掘现有的浸润式DUV光刻机的潜力，据悉当下中国大陆的芯片企业很可能利用浸润式DUV光刻机生产出接近台积电7纳米工艺的芯片，而这也是在台积电、三星、Intel之后第四家生产出7纳米工艺的企业。
或许中国在7纳米工艺上取得成功之后，已开始研发5纳米工艺，中国有丰富的芯片技术人才，而如今对于中国来说研发先进工艺非常重要，成本暂时被放在一边，只要研发出5纳米工艺那就对中国芯片行业具有极为重要的意义，可以为中国推进先进芯片技术发展提供支持，为研发自己的先进光刻机、先进芯片技术提供缓冲时间。
有业界人士就认为中国在芯片制造的其他环境已自研出更先进的设备，重要性仅次于光刻机的刻蚀机就已达到3纳米技术水平，凸显出中国在芯片技术方面有很大的潜力，而以更先进的刻蚀机与现有的浸润式DUV光刻机相配合研发5纳米的难度也会小一些。
借助相当于7纳米的工艺，中国在手机芯片、AI芯片方面都已取得显著的进展，早前美国允许英伟达对中国继续出售定制版的AI芯片H20，中国企业就放弃了采购，估计就是中国芯片已研发出可以媲美H20乃至性能更强的AI芯片，如果5纳米再取得突破，中国芯片必将步上新台阶。
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